Ցածր ջերմաստիճանի պոլի-սիլիկոնային տեխնոլոգիան՝ LTPS-ը (ցածր ջերմաստիճանի պոլի-սիլիկոն), սկզբնապես մշակվել է ճապոնական և հյուսիսամերիկյան տեխնոլոգիական ընկերությունների կողմից՝ Note-PC էկրանի էներգիայի սպառումը կրճատելու և Note-PC-ն ավելի բարակ ու թեթև տեսք հաղորդելու համար: 1990-ականների կեսերին այս տեխնոլոգիան սկսեց փորձարկվել: Օրգանական լույս արձակող OLED վահանակի նոր սերնդից ստացված LTPS-ը նույնպես պաշտոնապես շահագործման մեջ է դրվել 1998 թվականին: Դրա ամենամեծ առավելություններն են գերբարակությունը, թեթև քաշը, ցածր էներգիայի սպառումը, կարող է ապահովել ավելի գեղեցիկ գույներ և ավելի հստակ պատկերներ:
Ցածր ջերմաստիճանի պոլիսիլիցիում
TFT LCDկարելի է բաժանել պոլիբյուրեղային սիլիցիումի (Poly-Si TFT) և ամորֆ սիլիցիումի (a-Si TFT), որոնց միջև տարբերությունը տրանզիստորների տարբեր բնութագրերում է։ Պոլիսիլիցիումի մոլեկուլային կառուցվածքը դասավորված է կոկիկ և ուղղորդված հատիկի մեջ, ուստի էլեկտրոնային շարժունակությունը 200-300 անգամ ավելի արագ է, քան ամորֆ սիլիցիումինը։ Ընդհանուր առմամբ հայտնի է որպեսTFT-LCDվերաբերում է ամորֆ սիլիցիումին, հասուն տեխնոլոգիային, որը նախատեսված է LCD արտադրանքի հիմնական մասի համար: Պոլիսիլիցիումը հիմնականում ներառում է երկու տեսակի արտադրանք՝ բարձր ջերմաստիճանի պոլիսիլիցիում (HTPS) և ցածր ջերմաստիճանի պոլիսիլիցիում (LTPS):
Ցածր ջերմաստիճանի պոլի-սիլիկոն; ցածր ջերմաստիճանի պոլի-սիլիկոն; LTPS (բարակ թաղանթային տրանզիստորային հեղուկ բյուրեղային էկրան) փաթեթավորման գործընթացում էքսիմեր լազերն օգտագործում է որպես ջերմության աղբյուր: Լազերային լույսի պրոյեկցիոն համակարգով անցնելուց հետո, միատարր էներգիայի բաշխմամբ լազերային ճառագայթը կգեներացվի և կպրոյեկտվի ամորֆ սիլիցիումային կառուցվածքի ապակե հիմքի վրա: Ամորֆ սիլիցիումային կառուցվածքի ապակե հիմքը էքսիմեր լազերի էներգիան կլանելուց հետո, այն կվերածվի պոլիսիլիցիումային կառուցվածքի: Քանի որ ամբողջ գործընթացն ավարտվում է 600℃-ում, կարող է կիրառվել ընդհանուր ապակե հիմքը:
Cբնորոշ
LTPS-TFT LCD-ն ունի բարձր թույլտվության, արագ արձագանքման արագության, բարձր պայծառության, բարձր բացման արագության և այլնի առավելություններ։ Բացի այդ, քանի որ սիլիցիումային բյուրեղային դասավորությունըLTPS-TFT LCDa-Si-ից ավելի կարգի է, էլեկտրոնների շարժունակությունը ավելի քան 100 անգամ ավելի բարձր է, և ծայրամասային շարժիչ սխեման կարող է պատրաստվել ապակե հիմքի վրա միաժամանակ: Հասնել համակարգի ինտեգրման նպատակին, խնայել տարածք և նվազեցնել ինտեգրալ սխեմայի արժեքը:
Միևնույն ժամանակ, քանի որ դրայվերի ինտեգրալ սխեման անմիջապես արտադրվում է վահանակի վրա, այն կարող է նվազեցնել բաղադրիչի արտաքին շփումը, բարձրացնել հուսալիությունը, հեշտացնել սպասարկումը, կրճատել հավաքման գործընթացի ժամանակը և նվազեցնել էլեկտրամագնիսական ինտերվալների բնութագրերը, ապա կրճատել կիրառման համակարգի նախագծման ժամանակը և ընդլայնել նախագծման ազատությունը։
LTPS-TFT LCD-ն վահանակի վրա համակարգ ստեղծելու ամենաբարձր տեխնոլոգիան է, որը առաջին սերունդն է։LTPS-TFT LCDԲարձր թույլտվության և բարձր պայծառության էֆեկտի հասնելու համար ներկառուցված դրայվերային միացման և բարձր արդյունավետությամբ պատկերի տրանզիստորի օգտագործումը մեծ տարբերություն է ստեղծել LTPS-TFT LCD-ի և A-Si-ի միջև։
LTPS-TFT LCD-ի երկրորդ սերունդը՝ անալոգային ինտերֆեյսից թվային ինտերֆեյսի անցման միջոցով, շղթայական տեխնոլոգիայի զարգացման միջոցով, նվազեցնում է էներգիայի սպառումը։ Այս սերնդի կրիչի վրա շարժունակությունըLTPS-TFT LCD100 անգամ ավելի մեծ է, քան a-Si TFT-ն, իսկ էլեկտրոդային նախշի գծի լայնությունը մոտ 4 մկմ է, որը լիովին չի օգտագործվում LTPS-TFT LCD-ի համար։
LTPS-TFT LCD-ները ավելի լավ են ինտեգրված ծայրամասային LSI-ների մեջ, քան 2-րդ սերունդը։ LTPS-TFT LCD-ների նպատակն է
1) չունեն ծայրամասային մասեր, որոնք մոդուլը դարձնում են ավելի բարակ և թեթև, և կրճատում են մասերի քանակը և հավաքման ժամանակը։ (2) Պարզեցված ազդանշանի մշակումը կարող է նվազեցնել էներգիայի սպառումը։ (3) Հիշողությամբ հագեցածությունը կարող է էներգիայի սպառումը նվազագույնի հասցնել։
LTPS-TFT LCD-ն, իր բարձր թույլտվության, գույների բարձր հագեցվածության և ցածր գնի առավելությունների շնորհիվ, կանխատեսվում է, որ կդառնա էկրանի նոր տեսակ։ Բարձր շղթայական ինտեգրման և ցածր գնի առավելությունների շնորհիվ այն բացարձակ առավելություն ունի փոքր և միջին չափի էկրանային վահանակների կիրառման գործում։
Սակայն, p-Si TFT-ում կան երկու խնդիր։ Նախ, TFT-ի անջատման հոսանքը (այսինքն՝ արտահոսքի հոսանքը) մեծ է (Ioff=nuVdW/L). Երկրորդ, դժվար է պատրաստել բարձր շարժունակության p-Si նյութ մեծ մակերեսի վրա ցածր ջերմաստիճանում, և այդ գործընթացում կա որոշակի դժվարություն։
Սա նոր սերնդի տեխնոլոգիա է, որը ծագել էTFT LCDLTPS էկրանները արտադրվում են լազերային գործընթաց ավելացնելով ավանդական ամորֆ սիլիցիումային (A-Si)TFT-LCD վահանակներին, որի արդյունքում բաղադրիչների քանակը կրճատվում է 40 տոկոսով և միացնող մասերի քանակը՝ 95 տոկոսով, ինչը զգալիորեն նվազեցնում է արտադրանքի խափանման հավանականությունը: Էկրանը զգալիորեն բարելավում է էներգիայի սպառումը և դիմացկունությունը՝ 170 աստիճան հորիզոնական և ուղղահայաց դիտման անկյուններով, 12 մվ արձագանքման ժամանակով, 500 նիտ պայծառությամբ և 500:1 կոնտրաստի հարաբերակցությամբ:
Ցածր ջերմաստիճանի p-Si դրայվերները ինտեգրելու երեք հիմնական եղանակ կա.
Առաջինը սկանավորման և տվյալների անջատիչի հիբրիդային ինտեգրման ռեժիմն է, այսինքն՝ գծային սխեման ինտեգրված է միասին, անջատիչը և տեղաշարժի գրանցիչը ինտեգրված են գծային սխեմայում, իսկ բազմակի հասցեավորման դրայվերը և ուժեղացուցիչը արտաքինից միացված են հարթ վահանակի էկրանին՝ ժառանգված սխեմայի միջոցով։
Երկրորդ, բոլոր շարժիչ սխեմաները լիովին ինտեգրված են էկրանին։
Երրորդ, շարժիչի և կառավարման սխեմաները ինտեգրված են էկրանին։
Շենժեն Դիսեն«Էքսպոզիցիոն տեխնոլոգիաների ընկերություն» ՍՊԸբարձր տեխնոլոգիական ձեռնարկություն է, որը ինտեգրում է հետազոտություններն ու մշակումները, նախագծումը, արտադրությունը, վաճառքը և սպասարկումը։ Այն կենտրոնանում է արդյունաբերական էկրանների, արդյունաբերական սենսորային էկրանների և օպտիկական լամինացման արտադրանքի հետազոտությունների, մշակման և արտադրության վրա, որոնք լայնորեն կիրառվում են բժշկական սարքավորումների, արդյունաբերական ձեռքի տերմինալների, «Իրերի ինտերնետ» տերմինալների և «խելացի տան» մեջ։ Մենք ունենք TFT-ի ոլորտում հետազոտությունների և զարգացման և արտադրության հարուստ փորձ։LCD էկրան, արդյունաբերական ցուցադրման էկրան, արդյունաբերական սենսորային էկրան և լիովին համապատասխանում է արդյունաբերական ցուցադրման արդյունաբերության առաջատարին։
Հրապարակման ժամանակը. Մարտի 21-2023
